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Date: gio, 04 giu 2009 23:23:11 LT
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Subject: MSG n. 11 di I3ZJV


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LA RISPOSTA DEI TRANSISTORI AD ALTA FREQUENZA :

Note dell'Ing. Vito Rogianti : (anno 1967)

Tra  le  piu'  raffinate  maniere  di  confondere  le  idee  al prossimo va
annoverata  ai  primissimi  posti  quella con cui sia i vari fabbricanti di
semiconduttori  nei  loro  fogli  tecnici,  sia molti scrittori di articoli
divulgativi  caratterizzano o descrivono il comportamento in alta frequenza
dei transistori.
La  cosa si puo' pero' giustificare almeno in parte tenendo presente quanto
sotto  questo  punto  di  vista  il  comportamento dei transistori sia piu'
complicato  di  quello  dei  tubi  elettronici. In questi ultimi infatti, a
parte  gli  effetti  del tempo di transito e della induttanza dei terminali
che sono avvertibili solo a frequenze molto elevate, ci sono da considerare
solo le capacita'.
Va detto inoltre che dalla nascita dei transistori (1948) fino ad oggi 1967
i  progressi nella comprensione del loro funzionamento sono stati continui,
anche  per  meglio  riferirsi  alle varie strutture che le nuove tecnologie
venivano offrendo via via.
Sino  dai  primi  tempi ci si rese conto comunque che, a differenza appunto
dei  tubi  elettronici,  nei  transistori e' proprio il guadagno, in questo
caso di corrente, che dipende dalla frequenza.
Si   trovo'  cioe'  sperimentalmente  che  il  guadagno  di  corrente nella
connessione a base comune ` (alfa) segue una legge del tipo :
            `x
    ` = ---------    (1)
        1 + jf/`

e  cioe'  giustificato, almeno in prima approssimazione, anche dal punto di
vista teorico.
Nella  relazione (1), che e' molto simile a quella relativa a un filtro R-C
passa  basso,  `x  e' il valore del guadagno a bassa frequenza e  f`  e' la
frequenza di taglio a base comune.
Poiche'  il  guadagno  di  corrente nella connessione a emettitore comune a
(beta) (o hfe) e' legato ad ` dalla ben nota relazione :
          `
    a = ------      (2)
        1 - `
ne consegue che la dipendenza dalla frequenza di a e' anch'essa simile alla
(1) e vale :

            ax                             f`
     a = ----------    (3)    ove   fa = -------     (4)
         1 + jf/fa                         ax

Si vede dal diagramma riportato in fig. 1 (in cui si e' dato a ax un valore
arbitrario),  quale  sia  l'andamento rispettivo del modulo di a  e di ` in
decibel rispetto alla frequenza.
In realta' le cose vanno in modo un po' diverso, e sono anzi maledettamente
complicate,   ma  poiche'  per  i  risultati  pratici  la  equazione (3) e'
sufficiente non conviene scendere in ulteriori dettagli.

DIAGRAMMA DI FIG. 1 :
           
    log ax 3
           3DDDD\
           3    3 \
           3    3   \
           3    3     \
    log `x 3----3-----3 \
           ----------------------->
             logfa  logf`       logf

Il comportamento ad alta frequenza del guadagno di corrente si puo' percio'
considerare  abbastanza  definito quando siano note due delle tre grandezze
f`,  frequenza di taglio a base comune fa, frequenza di taglio a emettitore
comune ; ax guadagno in corrente a emettitore comune a bassa frequenza (*)

(*) Per frequenza di taglio si intende il valore della frequenza alla quale
il modulo del guadagno vale 0.707 volte il suo valore a bassa frequenza, il
che corrisponde a una diminuzione di 3 decibel.

Poiche'  i  primi  transistori avevano un comportamento alle alte frequenze
cosi  modesto  che  l'unica configurazione in cui si riusciva bene o male a
farli  oscillare  o  funzionare  era  quella  a  base comune, tutti i fogli
tecnici  relativi  ai  primi  transistori  prodotti  (e  molti ancora oggi)
specificavano il valore della frequenza di taglio f`.
Piu'  tardi  venne  da  parte di alcuni l'uso di specificare fa  o  f`fe  o
fnfe , il che e' lo stesso, nelle caratteristiche.
Tenendo  pero'  presente che l'andamento delle relazioni (1) e (3) indicato
nella  fig.  1  non e' rispettato in pratica e che percio' il calcolo di f`
dalla  relazione  (4)  ove sia nota fa da risultati poco realistici, che le
misure sui transistori a frequenze dell'ordine di f` divennero estremamente
complicate  quando  il  valore di questa si sposto' nella regione tra i 100
MHz  e i 1000 MHz, e infine che nonostante tutto a frequenze molto maggiori
di fa e' abbastanza vera una relazione del tipo :
            ax fa
  a (f) = ----------    (5)
            j f
si decise di misurare a a una frequenza compresa tra fa  e  f`.
Si chiamo' allora prodotto "banda guadagno"

            fT = a(f)  f  (6)
che  secondo  la (5) e' una costante, cioe' non dipende dalla frequenza f a
cui si effettua la misura.
Come si e' detto, il discorso non e' esatto, ma solo approssimato.
Pero'  cio'  che e' certo e' che la misura di fT effettuata a frequenze non
troppo  inferiori  a  f`  conduce  a  un risultato assai piu' realistico di
quello  relativo  all'uso  della  (4),  con  difficolta' pratiche di misura
minori di quelle che si avrebbero nella misura diretta di f`.
Oggi  il  parametro fT, che e' poi la frequenza alla quale il guadagno a si
riduce a 1 e' usato pressoche' universalmente dai vari costruttori.
In generale un transistore puo' pero' oscillare anche a frequenze superiori
a fT ed e' appunto conveniente definire quale sia la massima frequenza alla
quale e' ancora in grado di oscillare.
Il  fatto  che  un transistore possa oscillare ancora quando il guadagno di
corrente si sia ridotto a meno dell'unita' non deve stupire quando si pensi
che  cio'  che  occorre  per  l'oscillazione e' che il guadagno di tensione
lungo tutto il "loop" sia maggiore di uno (e non sfasamento zero).
Il  guadagno  di  tensione  dipende  da  quello di corrente, ma anche dalle
impedenze  d'entrata  e  d'uscita,  che  a  loro  volta  si  suppongono qui
accoppiate con adatto trasformatore.
Cio'  spiega  perche'  nella  formula  che  si  e' trovata teoricamente per
definire questa grandezza :

            2 B    /--------------
              3  /     fr
  f osc max = 3 / ---------------   (7)
              3/ 8 II rbb cbc

compaiono i parametri rbb e cbc.
Il  primo,  che  e'  la  resistenza  intrinseca  della  base,  ad altissime
frequenze  approssima bene l'impedenza d'entrata, mentre il secondo, che e'
la  capacita'  tra  base  e  collettore, nelle stesse condizioni approssima
l'impedenza d'uscita.
Entrambi  i  parametri  fr  e  f  osc  max  dipendono  dalle  condizioni di
polarizzazione.
In  figura 2 e' riportato come esempio il modo di variare di fT in funzione
sia  della  corrente  di  emettitore  che  della tensione tra collettore ed
emettitore per un tipico transistore.

LA FIGURA 2 :
Curve   "  tensione  collettore-emettitore  a  rapporto  della  corrente di
collettore"  alle  varie  frequenze,  a  temperatura  ambiente  di 25 gradi
centigradi.
E' un quadrato dove sulle ordinate di sinistra e' riportato il VCE cioe' il
voltaggio  del  collettore che va da un minimo di 0.1 volt ad un massimo di
20 volt, e sulle ascisse c'e' la corrente IC del collettore in milliampere,
che va da un minimo di 0.01 ad un massimo di 10 milliampere.
Vi  sono  entro  il  quadrato 15 grafici fatti come una V maiuscola, la cui
prima  lineetta  a  sinistra  e'  leggermente  inclinata in basso, e la cui
lineetta di destra anziche' essere verticale e' obliqua con un angolo di
circa  45 gradi. Ognuno di questi grafici riporta la frequenza che va da un
minimo di 5 megacicli fino ad un massimo di 140 megacicli, cioe' :
5-10-20-30-40-50-60-70-80-90-100-110-120-130-140.
(L'ultimo V a 140 MHz e' ridotto a una lineetta curva concava).
Detta  figura ha in testa il titolo : " Profili del guadagno costante della
larghezza di banda (fT).
Prima di concludere va detto che dal punto di vista della amplificazione di
tensione   di   uno   stadio  a  transistore  va  considerato  accanto alla
diminuizione  con  la  frequenza  del  guadagno di corrente dato dalla (3),
anche l'effetto della capacita' base-collettore.
Tale  capacita'  sul  circuito d'entrata produce un effetto simile a quello
della  capacita'  griglia-anodo  dei  tubi  (effetto  Miller)  e  su quello
d'uscita puo' considerarsi in parallelo alla resistenza di carico con tutte
le conseguenze che ne derivano.
La  capacita'  cbc  e'  percio'  un  parametro  di  notevole interesse e va
specificato  assieme a fr ed eventualmente a f osc max per definire in modo
piu' completo il comportamento ad alta frequenza del transistore.
C'e' poi tutta una serie di circuiti equivalenti per alta frequenza, piu' o
meno   complicati   in  cui  compaiono  elementi  capacitivi,  induttivi, e
resistivi che possono anche essere a loro volta funzione della frequenza.
Questi  circuiti  a  volte  sono  adatti  a rappresentare con precisione la
situazione  in  un  ristretto  campo  di  frequenze,  altre volte sono meno
precisi, ma validi su bande piu' larghe.
Pero'  a  parte applicazioni speciali ed eventuali studi piu' approfonditi,
se  sono  note  le  grandezze  fT  cbc   f osc max  si puo' dire di saperne
abbastanza  sul  comportamento  ad  alta  frequenza e di essere in grado di
progettare vari circuiti con una certa approssimazione.
---------------------------------------------------------------------
                        (fine)
 
           

73 a tutti de Luigi.


li, gio 04 giugno 2009 23:22 LT (+2.00 UTC)

 I3XTY  Paese, Veneto
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